[发明专利]一种高速数据采集系统中的SDRAM控制方法在审

专利信息
申请号: 201510103038.6 申请日: 2015-03-10
公开(公告)号: CN104658578A 公开(公告)日: 2015-05-27
发明(设计)人: 魏爱香;林康保;招瑜;刘俊 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/4063
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 刘媖
地址: 510090 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种高速数据采集系统中的SDRAM控制方法,所述高速数据采集系统包括有SDRAM存储器、时钟模块和由FPGA芯片实现的控制器,所述控制器包括有主状态机和片上锁相环,所述控制方法包括有以下步骤:A、时钟输入的倍频、移相;B、SDRAM初始化;C、所述主状态机的分别读/写操作。本发明方法根据数据采集系统读/写地址生成方式的不同,写地址采用递增模式,读地址采用分段模式,不考虑整页读写,也不考虑随机存取模式,而是只采用突发长度为4的突发方式流水读/写,从而实现数据高速采集;同时,本发明方法中的接口状态机通过FPGA内部实现,使得其更新和平台转移更方便。本发明作为一种高速数据采集系统中的SDRAM控制方法可广泛应用于数据存储领域。
搜索关键词: 一种 高速 数据 采集 系统 中的 sdram 控制 方法
【主权项】:
一种高速数据采集系统中的SDRAM控制方法,所述高速数据采集系统包括有SDRAM存储器、时钟模块和由FPGA芯片实现的控制器,其特征在于:所述控制器包括有主状态机和片上锁相环,所述SDRAM控制方法包括以下步骤:A、利用片上锁相环将时钟模块的输入时钟倍频并移相,使控制器在时钟信号的上升沿对命令进行采样;B、所述控制器向SDRAM发出预充电命令、刷新命令和模式寄存器装载命令;C、所述主状态机对SDRAM进行读/写操作,其中SDRAM的写地址采用递增模式连续变化,SDRAM的读地址采用分段模式将一行的数据分段读出。
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