[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包含一基板、一双通道半导体层、一半导体保护层、一闸极、一闸极介电层、一源极、及一汲极。该双通道半导体层包含一第一半导体层及一第二半导体层。第一半导体层由一金属氧化物半导体材料所制成，并形成于基板的上方。第二半导体层由该金属氧化物半导体材料掺杂一吸氧金属所制成，并形成于第一半导体层上。半导体保护层形成于第二半导体层上。闸极形成并位于基板的上方。闸极介电层形成于闸极与双通道半导体层之间。源极及汲极邻近双通道半导体层，形成而位于基板上方，并与双通道半导体层电连接。

主权项

一种薄膜晶体管，包含：一基板；一双通道半导体层，其包含：一第一半导体层，其由一金属氧化物半导体材料制成，并形成而位于所述基板的上方；及一第二半导体层，其由所述金属氧化物半导体材料掺杂一吸氧金属制成，并形成于所述第一半导体层上；一半导体保护层，其形成于所述第二半导体层上，其中所述半导体保护层保护所述双通道半导体层并具有半导体特性；一闸极，其形成而位于所述基板的上方；一闸极介电层，其形成于所述闸极与所述双通道半导体层之间；一源极，其邻近所述双通道半导体层，形成而位于所述基板上方并与所述双通道半导体层电连接；及一汲极，其与所述源极分隔开，且邻近所述双通道半导体层，且形成而位于所述基板上方，并与所述双通道半导体层电连接。