[发明专利]薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置有效
| 申请号： | 201510104413.9 | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN104733647A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 孙雯雯 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜封装方法及薄膜封装结构、显示装置，属于封装结构及封装方法领域，能够有效防止水氧入侵显示器件，并提高显示器件耐弯折性。所述薄膜封装方法，包括：1)将待封装器件置于等离子体增强化学气相沉积装置中，设置掩膜板以控制封装区域，遮蔽无需封装的区域；2)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体，沉积无机硅材料膜层；3)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N2，在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的有机材料沉积有机硅烷膜层。本发明可用于薄膜封装结构以及显示装置的制作中。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 封装 方法 结构 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜封装方法，其特征在于，包括：1)将待封装器件置于等离子体增强化学气相沉积装置中，设置掩膜板以控制封装区域，遮蔽无需封装的区域；2)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的气体，沉积无机硅材料膜层；3)调整通入等离子体增强化学气相沉积装置中的N2，在所述无机硅材料膜层上利用与无机硅材料发生化学反应的有机材料沉积有机硅烷膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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