[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201510113191.7 | 申请日: | 2015-03-16 |
公开(公告)号: | CN104952768B | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 井上正史;中野彰义;八木胡桃 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 董雅会;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种即使在利用共用管路对基板的下表面供给处理液和温水的情况下,也能够均匀地处理基板的基板处理装置。冷却机构具有包围共通配管(29)的管状构件(31)。管状构件(31)的上端被具有开口部(33)的盖构件(32)封闭,该开口部(33)用于向被旋转卡盘保持且进行旋转的半导体晶片(100)的下表面的旋转中心附近供给液体,且与共用管路(29)的端缘连接。另外,冷却水的供给配管(26)向该管状构件(31)的内部供给常温的纯水。向管状构件(31)内部供给的常温的纯水在对共用管路(29)冷却后从管状构件(31)的下端流出。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,用于基板处理装置,该基板处理装置具有:上表面处理液供给部,向被旋转卡盘保持且进行旋转的基板的上表面供给处理液,共用管路,用于向被所述旋转卡盘保持且进行旋转的基板的下表面的旋转中心附近供给液体,下表面处理液供给部,向所述共用管路供给处理液,温水供给部,向所述共用管路供给温水,冷却机构,该冷却机构向所述共用管路的外周部供给流体来冷却所述共用管路;其特征在于,在连续处理基板时,在向所述共用管路内供给温水后且在向所述共用管路供给处理液前,利用所述流体冷却所述共用管路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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