[发明专利]基板加热装置和基板加热方法有效
申请号: | 201510114199.5 | 申请日: | 2015-03-16 |
公开(公告)号: | CN104681402B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 陆小勇;许晓伟;左岳平;田宏伟;张宇;龙春平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人: | 李莎,李弘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种基板加热装置和一种基板加热方法,上述装置包括加热层,用于传导热量;传输管,用于向扩散层传输气体;扩散层,设置在加热层之上,用于使气体均匀分布于导出层和加热层之间;导出层,设置在扩散层之上,其中均匀地设置有多个通孔,多个通孔用于将扩散层中的气体导出至待加热基板下方,以使待加热基板均匀受热。通过本发明的技术方案,可以均匀且全面地对待加热基板进行加热,使得待加热基板上表面温度更加均匀,以使对待加热基板进行的蚀刻、沉积和/或溅射等工艺得到更好的效果。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板加热装置,其特征在于,包括:加热层,用于传导热量;传输管,用于向扩散层传输气体;所述扩散层,设置在所述加热层之上,用于使所述气体均匀分布于导出层和所述加热层之间;所述导出层,设置在所述扩散层之上,其中均匀地设置有多个通孔,所述多个通孔用于将所述扩散层中的气体导出至待加热基板下方,以使所述待加热基板均匀受热;每个所述通孔导出的气体的流量为5至20sccm;缓冲元件,设置于所述传输管的出口,用于降低从所述传输管进入所述扩散层的气体的速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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