[发明专利]一种功率MOSFET在审
| 申请号： | 201510115551.7 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN104733535A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 孙博韬;王立新;张彦飞 | 申请（专利权）人： | 北京中科新微特科技开发股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/41;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种功率MOSFET，包括：衬底；外延层，外延层覆盖衬底；源掺杂区，源掺杂区位于外延层内；阱区，阱区位于外延层内且位于源掺杂区下方；多晶源极，多晶源极被外延层包围且位于芯片表面下方；多个浮空电极，浮空电极被外延层包围且位于多晶源极下方；电容介质层，电容介质层位于浮空电极之间，浮空电极与多晶源极之间，以及位于最下方的浮空电极与外延层之间；以及侧壁介质层，侧壁介质层位于外延层与多晶源极之间，以及外延层与浮空电极之间。该功率MOSFET兼具了CC-MOSFET与SJ-MOSFET的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET，其特征在于，所述功率MOSFET包括：衬底(101)；外延层(102)，所述外延层(102)覆盖所述衬底(101)；源掺杂区(104)，所述源掺杂区(104)位于所述外延层(102)内；阱区(103)，所述阱区(103)位于所述外延层(102)内且位于所述源掺杂区(104)下方；多晶源极(112)，所述多晶源极(112)被所述外延层(102)包围且位于芯片表面下方；多个浮空电极(115)，所述浮空电极(115)被所述外延层(102)包围且位于所述多晶源极(112)下方；电容介质层(108)，所述电容介质层(108)位于所述浮空电极(115)之间，所述浮空电极(115)与所述多晶源极(112)之间，以及位于最下方的所述浮空电极(115)与所述外延层(102)之间；以及侧壁介质层(106)，所述侧壁介质层(106)位于所述外延层(102)与所述多晶源极(112)之间，以及所述外延层(102)与所述浮空电极(115)之间。
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