[发明专利]边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201510119221.5 | 申请日: | 2015-03-18 |
公开(公告)号: | CN104714343B | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 李东朝;王俊;李海波;祝秀芬;唐先柱 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L23/485;H01L21/84;H01L21/48 |
代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 蔡光仟 |
地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,阵列基板包括第一绝缘层,形成于透明基板上;第二绝缘层,形成于第一绝缘层上,第二绝缘层包括间隔排列的多个绝缘凸起部,多个绝缘凸起部凸出于第一绝缘层的表面上;第一电极层,形成于第二绝缘层上,第一电极层包括多个电极平部和多个电极凸部,多个电极平部覆盖第一绝缘层的未形成有绝缘凸起部的表面上,多个电极凸部分别覆盖多个绝缘凸起部;第三绝缘层,形成于第一电极层上,多个电极凸部的上表面未被第三绝缘层覆盖而露出;第二电极层,形成于第三绝缘层上,第二电极层包括间隔排列的多个电极部,多个电极部分别位于多个电极平部的上方,多个电极部与多个电极凸部相互错开且交替设置。 | ||
搜索关键词: | 绝缘层 电极凸部 凸起部 绝缘 第一电极 电极 电极部 平部 薄膜晶体管阵列基板 边缘场开关模式 第二电极 间隔排列 绝缘层覆盖 交替设置 透明基板 阵列基板 上表面 错开 覆盖 制造 | ||
【主权项】:
1.一种边缘场开关模式的薄膜晶体管阵列基板,包括透明基板以及形成在透明基板上的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和所述多条数据线交叉限定多个像素区域,其特征在于,所述像素区域包括:第一绝缘层,形成于所述透明基板上;第二绝缘层,形成于所述第一绝缘层上,所述第二绝缘层包括间隔排列的多个绝缘凸起部,所述多个绝缘凸起部凸出于所述第一绝缘层的表面上;第一电极层,形成于所述第二绝缘层上,所述第一电极层包括多个电极平部和多个电极凸部,所述多个电极平部覆盖所述第一绝缘层的未形成有所述绝缘凸起部的表面上,所述多个电极凸部分别覆盖所述多个绝缘凸起部;第三绝缘层,形成于所述第一电极层上,所述第三绝缘层覆盖所述多个电极平部的上表面以及所述多个电极凸部的侧表面,所述多个电极凸部的上表面未被所述第三绝缘层覆盖而露出;以及第二电极层,形成于所述第三绝缘层上,所述第二电极层包括间隔排列的多个电极部,所述多个电极部分别位于所述多个电极平部的上方,所述多个电极部与所述多个电极凸部相互错开且交替设置,所述多个电极部的上表面与所述多个电极凸部的上表面位于同一水平面上,各所述电极部的宽度小于各所述电极平部的宽度,所述第三绝缘层上于对应各所述电极平部的上方形成有凹陷,各所述电极部收容在所述凹陷中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山龙腾光电有限公司,未经昆山龙腾光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510119221.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:能够使光学元件从光路退避的光学设备
- 下一篇:光学膜片、背光模组及显示装置