[发明专利]OLED基板及制备方法、OLED面板及显示装置在审
申请号: | 201510119584.9 | 申请日: | 2015-03-18 |
公开(公告)号: | CN104733504A | 公开(公告)日: | 2015-06-24 |
发明(设计)人: | 敖宁;白妮妮;张朝波 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种OLED基板及制备方法、OLED面板及OLED显示装置。所述OLED基板的边缘形成有层间绝缘层,所述层间绝缘层的表面上形成有凹坑。所述OLED基板的层间绝缘层的表面设有凹坑,可以增加层间绝缘层与封装基板的横向抗拉强度,即增大OLED基板与封装基板之间的横向抗拉力,从而提高OLED面板的稳定性,保证OLED面板的密封效果,提高OLED面板的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | oled 制备 方法 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种OLED基板,所述OLED基板的边缘形成有层间绝缘层,其特征在于,所述层间绝缘层的表面上形成有凹坑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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