[发明专利]一种双位闪存存储器及其编程、擦除和读取方法在审
| 申请号： | 201510128268.8 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN104733045A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶;阎江 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双位闪存存储器，包括具有源漏两端的P型衬底及依次位于衬底上下两侧的第一、第二浮栅和第一、第二控制栅，第一、第二浮栅为N型掺杂的多晶硅，第一控制栅为P型的多晶硅，第二控制栅为N型的多晶硅，当编程时，通过对漏端施加正的漏端电压，对源端接地，并定义对应浮栅中存储电子的状态为“1”，若在任何一个控制栅上编程“1”状态，则在相应的控制栅上施加正的栅极电压，使衬底的沟道产生电子反型层，在漏端电压的加速作用下，沟道电子获得足够多的能量跃过栅氧化层与衬底硅之间的势垒成为热电子，在栅极电压的作用下热电子注入浮栅完成编程。本发明能够扩大浮栅闪存的单位面积存储容量，从而能够缩小浮栅闪存的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 存储器 及其 编程 擦除 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种双位闪存存储器，其特征在于，包括：半导体衬底，其包括位于两端的N型掺杂的源端和漏端，位于中间的P型硅沟道；分别位于所述源端和漏端之间的所述衬底上下两侧的第一、第二浮栅，以及分别位于所述第一、第二浮栅外侧的第一、第二控制栅，所述控制栅与浮栅之间具有二氧化硅层，所述浮栅与所述衬底之间具有二氧化硅栅氧化层，所述第一、第二浮栅为N型掺杂的多晶硅，所述第一控制栅为P型的多晶硅，所述第二控制栅为N型的多晶硅；其中，当所述双位闪存存储器编程时，通过对所述漏端施加正的漏端电压，对所述源端接地，并定义对应浮栅中存储电子的状态为“1”，若在任何一个控制栅上编程“1”状态，则在相应的控制栅上施加正的栅极电压，使所述衬底的沟道产生电子反型层，在漏端电压的加速作用下，沟道电子获得足够多的能量跃过栅氧化层与衬底硅之间的势垒成为热电子，在栅极电压的作用下热电子注入浮栅完成编程。
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