[发明专利]一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法有效
| 申请号： | 201510128458.X | 申请日： | 2015-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN104695012B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 赵显;于法鹏;许士才;程秀凤;孙丽;杨志远;陈秀芳 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 杨磊 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备大尺寸高质量石墨烯单晶的装置及方法。该装置包括壳体和顶盖，顶盖内设带布气管的气体喷头，使进入的高纯气体均匀分布进入反应腔体；反应腔体由密封石英管、插接在两段密封石英管中间的石墨发热体、放置在石墨发热体内部的石墨坩埚组成，石墨坩埚用于放置SiC晶片衬底；石墨发热体外有冷却水系统、中频线圈；壳体底部有出气口。本发明还提供利用该装置在SiC衬底上制备大尺寸高质量石墨烯单晶的方法。采用本装置及生长方法，在SiC衬底上制得高质量的石墨烯晶体，其迁移率比SiC高温热解方法制备的石墨烯提高近1～2个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 尺寸 质量 石墨 烯单晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC衬底上制备石墨烯单晶的装置，该装置包括：‑壳体和顶盖，顶盖位于壳体上面，顶盖中部有进气口，与顶盖内设置的带布气管的气体喷头连通，使进入的高纯气体均匀分布进入反应腔体；‑反应腔体位于壳体中部，由密封石英管、插接在两段密封石英管中间的石墨发热体、放置在石墨发热体内部的石墨坩埚组成，石墨坩埚用于放置SiC晶片衬底；反应腔体通过固定在壳体内底部的支撑架支撑；‑冷却水系统，位于石墨发热体外，自下而上通冷却循环水；‑中频线圈，位于石墨发热体外，用于感应加热石墨发热体；‑在密封石英管下端设有气体导出通道，连通壳体底部的出气口。
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