[发明专利]NAND型闪速存储器

摘要

一种制造非易失性存储器装置的方法，包括：提供衬底，其具有由多个沟槽限定的有源区；在具有多个沟槽的衬底上形成第一隔离层；在第一隔离层上形成牺牲层以填充沟槽，该牺牲层包括填充沟槽的下部的第一区以及填充除下部之外的部分的第二区；移除牺牲层的第二区；在第一隔离层和牺牲层的第一区上形成第二隔离层；通过移除牺牲层的第一区而在沟槽中形成空气间隙；以及在维持该空气间隙的同时移除第一隔离层的一部分和第二隔离层的一部分。

主权项

1.一种NAND型闪速存储器，包括：衬底，其包括有源区和在第一方向上纵向延伸并且与所述有源区相邻的沟槽；第一串选择线和第二串选择线，其布置在所述衬底上并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；第一接地选择线，其布置在所述衬底上并且在所述第二方向上延伸；多条字线，其布置在所述第一串选择线和所述第一接地选择线之间并且在所述第二方向上延伸；第一绝缘层，其形成在所述沟槽的第一部分中，所述第一绝缘层的位置在所述第一串选择线和第二串选择线之间；以及空气间隙，其形成在所述沟槽的第二部分中并且在所述第一方向上延伸，所述第二部分在所述多条字线下方形成在所述衬底中。