[发明专利]四氧化三钴多孔纳米线阵列的超级电容器电极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510136773.7 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN104681299B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 韩丹丹;徐鹏程;丁元生;程振玉 | 申请（专利权）人： | 吉林化工学院 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 132022 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的超级电容器用电极材料，所述的超级电容器电极材料是由水热法直接生长于导电基底上的四氧化三钴纳米线阵列构成，本发明所提供的赝电容电极材料的制备方法，首先采用调控络合剂的用量控制产物形貌，同时，通过选择络合剂的种类实现了在光滑的导电基底上自主装生长的过程，该制备过程操作简便，产物形貌规整，由于电极材料直接生长在导电基底上，免去了导电剂和粘合剂的加入，使电极的阻抗大大降低，阵列结构电极材料增加了与导电基底的接触作用，使电子传输加快，增大了电极的比容量。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 多孔 纳米 阵列 超级 电容器 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种四氧化三钴纳米线阵列的超级电容器用电极材料，所述的超级电容器的电极体系包括导电集流体，电极活性材料、电解液和隔膜，其特征在于，所述电极活性材料是直接生长在导电集流体上的多孔四氧化三钴纳米线阵列，所述的导电集流体为导电玻璃，镍片或泡沫镍网，所述的四氧化三钴纳米线阵列的形貌为5‑10根纳米线的末端相结合的棱锥体类“神经元”结构，其中阵列长度为5μm‑20μm。
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