[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种阵列基板，包括：一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源漏电极层，钝化层，有机绝缘层和像素电极层；在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述钝化层和所述有机绝缘层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接；所述钝化层第一接触孔的孔径大于所述有机绝缘层第一接触孔的孔径。由于钝化层的第一接触孔大于有机绝缘层的第一接触孔，所以有机绝缘层可以覆盖钝化层与漏下金属钛之间的断层，解决了接触孔位置出现了有机绝缘层与钝化层之间的逆向倒角，而导致像素电极层的断线，无法给像素电极充电的问题。

主权项

一种阵列基板，包括：一基板，以及在所述基板上依次形成的栅极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源漏电极层，钝化层，有机绝缘层和像素电极层；在位于所述源漏电极层的漏电极上方的所述钝化层和所述有机绝缘层上形成有第一接触孔，所述的源漏电极层的漏电极通过该第一接触孔与所述的像素电极层相连接；其中，所述的第一接触孔包括同心的钝化层第一接触孔和有机绝缘层第一接触孔；所述钝化层第一接触孔的孔径大于所述有机绝缘层第一接触孔的孔径。