[发明专利]桥式电路及其元件有效

专利信息
申请号: 201510140463.2 申请日: 2009-02-10
公开(公告)号: CN104811170B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 詹姆斯·霍尼亚;吴毅锋 申请(专利权)人: 特兰斯夫公司
主分类号: H03K17/0814 分类号: H03K17/0814;H03K17/16;H03K17/567;H03K17/687
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 张焕生;谢丽娜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 桥式电路及其元件。本发明描述了一种半桥,所述半桥具有至少一个晶体管,所述晶体管具有能够处于第一工作模式、第二工作模式和第三工作模式的沟道,所述第一工作模式在至少一个方向上阻挡基本电压,所述第二工作模式在一个方向上通过该沟道传导基本电流,所述第三工作模式在相反方向上通过该沟道传导基本电流。所述半桥可具有带有这样的晶体管的两个电路。
搜索关键词: 电路 及其 元件
【主权项】:
1.一种电路,包括:耗尽型晶体管,该耗尽型晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和第一沟道;以及具有阈值电压的增强型晶体管,该增强型晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道、反并联到所述第二沟道的寄生二极管,所述第二漏极被电连接到所述第一源极,其中,所述电路被构造以使得:在该电路的第一工作模式期间,所述第一漏极的电压被保持高于所述第二源极的电压,相对于所述第二源极,大于所述增强型晶体管的阈值电压的电压被施加到所述第二栅极,以及电流从所述第一漏极流向所述第二源极,其中,在所述第一工作模式期间,电流流过所述第一沟道并且流过所述第二沟道;在该电路的第二工作模式期间,所述第一漏极的电压低于所述第二源极的电压,相对于所述第二源极,小于所述增强型晶体管的阈值电压的电压被施加到所述第二栅极,以及电流从所述第二源极流向所述第一漏极,其中,在所述第二工作模式期间,电流流过所述第一沟道,但该电流的大部分不流过所述第二沟道;在该电路的第三工作模式期间,所述第一漏极的电压低于所述第二源极的电压,相对于所述第二源极,大于所述增强型晶体管的阈值电压的电压被施加到所述第二栅极,以及电流从所述第二源极流向所述第一漏极,其中,在所述第三工作模式期间,电流流过所述第一沟道并且流过所述第二沟道。
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