[发明专利]一种3D内存芯片有效
| 申请号： | 201510141482.7 | 申请日： | 2015-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN105632545B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C11/406 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D内存芯片，基于3D‑SIC技术将MRAM和DRAM混合使用，构成3D结构的内存芯片，其包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDRDRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚。在此基础上，又提供了一种能够有效控制片选信号线数量的多芯片选通机制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 内存 芯片 | ||
【主权项】：
一种3D内存芯片，其特征在于，包括N个层叠的MRAM芯片，N为正整数；M个层叠的DRAM芯片，M为非负整数；其中，所述MRAM芯片和所述DRAM芯片沿同一方向层叠设置；所述MRAM芯片和所述DRAM芯片均采用DDR DRAM接口标准；所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片中相同的引线管脚通过过硅通孔电连接至同一个封装引脚；当M+N大于2X‑1且小于或等于2X，X为正整数时，每个所述MRAM芯片和每个所述DRAM芯片内均设有X位地址标识，所述地址标识的每一位采用1或0表示，并且所有所述MRAM芯片和所有所述DRAM芯片的地址标识均各不相同；所述地址标识通过eFuse技术进行配置。
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