[发明专利]芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510147698.4 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104946151B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 大西谦司;三隅贞仁;村田修平;宍户雄一郎;木村雄大 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜、半导体装置、以及半导体装置的制造方法。所述芯片接合薄膜在通过对半导体晶圆中的预分割线照射激光而形成改性区域，从而使半导体晶圆处于可沿预分割线容易地分割的状态后，通过施加拉伸张力来分割半导体晶圆而得到半导体芯片时，在预分割线以外的部位，可抑制半导体晶圆中产生裂纹、破损。所述芯片接合薄膜在波长1065nm下的透光率为80％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 接合 薄膜 切割 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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