[发明专利]有机EL装置的制造方法、有机EL装置、电子设备有效
申请号: | 201510148092.2 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN104979493B | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 花村雄基 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供具有优良的连接可靠性的有机EL装置以及该有机EL装置的制造方法以及具备该有机EL装置的电子设备。有机EL装置(100)的制造方法的特征在于,具有:在作为第一基板的元件基板(10)的基材(11)上,形成有机EL元件(30)和安装端子(101)的工序;以至少覆盖有机EL元件和安装端子的方式形成密封膜(34a、34c)的工序;经由填充剂(42)相对于元件基板贴合作为第二基板的密封基板(41)的工序;以及对密封膜进行蚀刻以使安装端子的至少一部分露出的工序,在对密封膜进行蚀刻的工序中,将由与蚀刻气体反应而汽化的组成构成的密封基板或者覆盖密封基板的至少一部分的保护部件(60)作为掩模来使用。 | ||
搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种有机EL装置的制造方法,其特征在于,具有:在第一基板上形成有机EL元件和安装端子的工序;以至少覆盖所述有机EL元件和所述安装端子的方式形成密封膜的工序;经由填充剂相对于所述第一基板贴合第二基板的工序;以及通过使用了蚀刻气体的干式蚀刻对所述密封膜进行蚀刻以使所述安装端子的至少一部分露出的工序,所述密封膜以氮氧化硅膜为主要成分,在对所述密封膜进行蚀刻的工序中,将石英玻璃的所述第二基板作为掩模来使用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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