[发明专利]半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 201510148624.2 | 申请日： | 2015-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633158B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种制造半导体器件的方法。该方法可以包括：在半导体层上生长晶体牺牲栅层；对牺牲栅层进行构图，以形成牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；选择性去除栅侧墙内侧的牺牲栅，在栅侧墙内侧形成孔；以及在孔中填充栅介质层和栅导体层，形成栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体层上形成沿第一方向延伸的多条鳍线，在鳍线上生长晶体停止层，并在该晶体停止层上生长晶体牺牲栅层；将牺牲栅层构图为沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多个牺牲栅极线，以形成牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；选择性去除栅侧墙内侧的牺牲栅，在栅侧墙内侧形成孔；以及在孔中填充栅介质层和栅导体层，形成栅堆叠；其中，所述停止层被选择性地去除后，在最终制得的器件中得以保留。
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