[发明专利]抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件有效
申请号: | 201510150346.4 | 申请日: | 2015-03-31 |
公开(公告)号: | CN104788127B | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 成学军;王清华 | 申请(专利权)人: | 深圳顺络电子股份有限公司 |
主分类号: | C25D5/54 | 分类号: | C25D5/54;C04B41/85 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人: | 杨洪龙 |
地址: | 518110 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法及电子陶瓷元件,该表面处理方法包括以下步骤S1、配制表面处理溶液将混合物料与水混合均匀,得到表面处理溶液,混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4;S2、表面处理将电子陶瓷元件放入表面处理溶液内浸泡,电子陶瓷元件表面生成保护膜;S3、清洗、烘干将经过步骤S2处理的电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净,并将电子陶瓷元件完全烘干;S4、烧结将经过步骤S3处理的电子陶瓷元件进行表面烧结。本发明提出的表面处理方法在电子陶瓷元件产品表面形成一层高电阻率的保护膜,从而抑制电镀时发生爬镀。 | ||
搜索关键词: | 抑制 电子陶瓷 元件 表面 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种抑制电子陶瓷元件爬镀的表面处理方法,其特征在于:包括以下步骤:S1、配制表面处理溶液:将混合物料与水混合均匀,得到所述表面处理溶液,所述混合物料包括Fe3(PO4)2、MnPO4、NaNO3、Y2O3、H3PO4、NaClO3以及Na2MoO4;所述混合物料中各成分的重量百分比为:Fe3(PO4)2:50%~80%、MnPO4:5%~20%、NaNO3:1.0%~20%、Y2O3:0.01%~18%、H3PO4:0.01%~15%、NaClO3:0.5%~10%以及Na2MoO4:0.01%~18%;S2、表面处理:将所述电子陶瓷元件放入所述表面处理溶液内浸泡,使所述电子陶瓷元件表面生成保护膜;S3、清洗、烘干:将经过步骤S2处理的所述电子陶瓷元件的表面残留物清洗干净,并对所述电子陶瓷元件进行烘干;S4、烧结:将经过步骤S3处理的所述电子陶瓷元件进行表面烧结。
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