[发明专利]用于形成互连的方法有效
申请号: | 201510154527.4 | 申请日: | 2015-04-02 |
公开(公告)号: | CN104979278B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 罗伊·沙维夫 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 包括沟槽(110)和(186)和过孔(202)的导电互连是通过在工件之上施加介电膜堆叠(120),且之后在膜堆叠之上施加光刻胶(140)而形成在工件(100)中。沟槽(142)在光刻胶中被图案化,其中所述沟槽处于彼此端对端设置的区段中。区段在将要安置过孔(202)的位置处彼此纵向地间隔开。沟槽被蚀刻到介电膜堆叠中,且随后用导电材料填充以形成金属线段(186)。过孔(192)在分离纵向相关的线(186)的相邻端的间隙中被图案化。图案化的过孔被蚀刻且然后用导电材料填充,其中相邻线段(186)的端部用于在沿着沟槽长度的方向上准确地定位过孔。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 互连 方法 | ||
【主权项】:
一种在工件中形成由金属化线和过孔组成的互连的方法,所述方法包括:(a)在工件中形成金属线,其中所述金属线设置在纵向间隔开的线段中,所述线段彼此端对端地间隔开;和(b)在工件中形成过孔,其中第一形成的金属线的至少一端限制第二形成的过孔的一个截面尺寸,或其中第一形成的过孔的至少一端限制第二形成的金属线的一个截面尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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