[发明专利]测试半导体存储器的方法有效
| 申请号： | 201510154675.6 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104979018B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 朴世殷;尹圣熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张帆;陈源<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测试半导体存储器的方法。所述方法包括步骤：根据对应于第一代的多个用例执行测试并且针对所述多个用例产生模型化测试结果；基于模型化测试结果从所述多个用例当中确定最优用例；以及基于所述最优用例产生对应于第二代的多个用例。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 半导体 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试半导体存储器的方法，所述方法包括步骤：/n根据与第一代对应的多个测试用例对半导体存储器执行测试并且针对所述多个测试用例产生模型化测试结果；/n基于模型化测试结果从所述多个测试用例当中确定最优测试用例；以及/n基于所述最优测试用例产生与第二代对应的多个测试用例。/n
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