[发明专利]形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺

摘要

本公开涉及形成具有包括绝缘区的终止区的电子装置的工艺。一种电子装置可包括电子组件和邻近于电子组件区的终止区。在实施方案中，所述终止区可包括延伸到半导体层中一定深度的绝缘区，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％。在另一实施方案中，所述终止区可包括延伸到所述半导体层中第一深度的第一绝缘区，以及延伸到所述半导体层中第二深度的第二绝缘区，其中所述第二深度小于所述第一深度。在另一方面，一种形成电子装置的工艺可包括图案化半导体层以在终止区内界定沟槽，同时为电子组件区内的电子组件形成另一沟槽。

主权项

1.一种形成电子装置的工艺，其包括：/n提供基板和上覆所述基板的半导体层，其中所述半导体层具有主表面和相对表面，其中比起所述主表面，所述基板更接近所述相对表面；/n移除所述半导体层的部分以界定第一沟槽，其中所述第一沟槽位于所述电子装置的终止区内；/n形成第一绝缘层来填充所述第一沟槽以在所述终止区内形成第一绝缘区，其中所述第一绝缘区延伸到所述半导体层中一定深度，其中所述深度小于所述半导体层的厚度的50％；/n在所述终止区中形成第一垂直区，所述垂直区延伸的深度大于所述第一沟槽，其中在成品装置中，所述第一绝缘区布置在所述第一垂直区与电子组件区之间；和/n在所述第一绝缘区上形成场电极。/n