[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供半导体装置。在由n⁺型基板、n^－型外延层以及p^－型主体层构成的半导体层上配置有栅极焊盘。栅极焊盘俯视时，配置在半导体层的中央部。在半导体层设有多个构成沟槽型MOSFET元件的单位元件。多个单位元件俯视时，以栅极焊盘为中心排列在辐射方向，离栅极焊盘最近的单位元件(中央侧单位元件)的栅电极与栅极焊盘电连接。在辐射方向相邻的单位元件的栅电极相互连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体层；栅极焊盘，其配置在所述半导体层上，在从所述半导体层的厚度方向观察的俯视时，该栅极焊盘形成于所述半导体层的中央部；以及多个单位元件，它们形成于所述半导体层，并分别构成作为MOS场效应晶体管元件或者绝缘栅型双极晶体管元件的晶体管元件，在所述俯视时，所述多个单位元件以所述栅极焊盘为中心在辐射方向排列地配置，在辐射方向排列地配置的所述多个单位元件中接近所述栅极焊盘的一侧的单位元件的栅电极与所述栅极焊盘电连接，在辐射方向相邻的单位元件的栅电极相互连接。