[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201510166098.2 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104766911A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李庆;陈立人;蔡睿彦 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片，其包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。该LED芯片在P电极引脚的端部设置截至引脚来增加该LED芯片的抗静电能力，从而使该LED芯片具有更高的可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，包括：衬底；设置于所述衬底上的N型半导体层和P型半导体层；设置于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的发光层；与所述N型半导体层相连的N型电极；与所述P型半导体层相连的P型电极；以及设置于所述P型半导体层上的电流阻挡层；所述P型电极位于所述电流阻挡层上，所述P型电极连接有电极引脚；其特征在于，所述电极引脚远离所述P型电极的一端连接有截止引脚。
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