[发明专利]阵列基板及其制备方法、液晶面板

摘要

本发明公开了一种阵列基板，包括玻璃基板以及形成在所述玻璃基板上的多个像素结构，所述像素结构包括透光区域和非透光区域，其中，所述非透光区域包括依次形成于所述玻璃基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极/漏极和钝化层；所述透光区域包括直接形成在所述玻璃基板上的像素电极，所述像素电极延伸至所述非透光区域上，并且与所述源极或所述漏极电性连接。本发明还公开了如上所述阵列基板的制备方法以及包含该阵列基板的液晶面板。

主权项

1.一种阵列基板的制备方法，包括步骤：S10、在玻璃基板(20)上制备栅极(30)；S20、在经过步骤S10之后的玻璃基板(20)上依次制备栅极绝缘层薄膜(40a)、有源层(50)、欧姆接触层(60)、以及源极/漏极(70a、70b)，其中所述栅极绝缘层薄膜(40a)覆盖像素结构(10)的透光区域(10a)和非透光区域(10b)；所述步骤S20具体包括：在形成所述栅极(30)的玻璃基板(20)上依次形成栅极绝缘层薄膜(40a)、有源层薄膜(50a)、欧姆接触层薄膜(60a)以及源极/漏极金属薄膜(70)，并在所述源极/漏极金属薄膜(70)上涂覆光刻胶；采用双色调掩膜板对光刻胶进行曝光显影，保留源极(70a)区域和漏极(70b)区域对应的光刻胶及沟道区域对应的光刻胶；刻蚀掉暴露出的源极/漏极金属薄膜(70)、欧姆接触层薄膜(60a)和有源层薄膜(50a)；经过灰化处理去掉所述沟道区域对应的光刻胶，并刻蚀沟道区域上方的欧姆接触层薄膜(60a)以及源极/漏极金属薄膜(70)；剥离剩余的光刻胶，获得所述栅极绝缘层薄膜(40a)、有源层(50)、欧姆接触层(60)、以及源极/漏极(70a、70b)；S30、在经过步骤S20之后的玻璃基板(20)上制备钝化层薄膜(80b)，其中所述钝化层薄膜(80b)覆盖所述像素结构(10)的透光区域(10a)和非透光区域(10b)；S40、通过刻蚀工艺在所述钝化层薄膜(80b)上制备一过孔(80a)，同时将覆盖于所述透光区域(10a)上的所述栅极绝缘层薄膜(40a)和所述钝化层薄膜(80b)刻蚀去除，并且在所述透光区域(10a)暴露出所述玻璃基板(20)；S50、在经过步骤S40之后的玻璃基板(20)上制备像素电极(90)，其中所述像素电极(90)在所述透光区域(10a)内直接形成在所述玻璃基板(20)上，所述像素电极(90)为平板状且全面覆盖所述透光区域(10a)，并且所述像素电极(90)通过所述过孔(80a)与所述源极或所述漏极(70a、70b)电性连接。