[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201510175829.X | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104900655A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 辛燕霞;杨玉清;杨小飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/02;H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于阵列基板技术领域，其可解决现有的阵列基板中的存储电容的面积不足，电容值小的问题。本发明的阵列基板包括：薄膜晶体管，包括有源区、源漏极、栅极；设于所述有源区下方的由导电材料构成的遮光结构；存储电容，包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片；所述第一极片与遮光结构同层设置，所述第二极片与有源区、源漏极、栅极中的任意一种同层设置。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，包括：薄膜晶体管，包括有源区、源漏极、栅极；设于所述有源区下方的由导电材料构成的遮光结构；存储电容，包括间隔且相对设置的第一极片和第二极片；其特征在于，所述第一极片与遮光结构同层设置，所述第二极片与有源区、源漏极、栅极中的任意一种同层设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
