[发明专利]一种纳米复合材料γ-Fe2O3/PDA-GA/CuNPs修饰电极、制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 201510176291.4 申请日: 2015-04-14
公开(公告)号: CN104792840A 公开(公告)日: 2015-07-22
发明(设计)人: 邓盛元;张光耀;张婷婷;吴子睿;单丹 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 邹伟红;朱显国
地址: 210094 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种纳米复合材料γ-Fe2O3/PDA-GA/CuNPs修饰电极的制备方法及其传感应用。将合成的纳米复合材料γ-Fe2O3/PDA-GA滴涂在电极表面,作为螯合剂吸附铜离子,再原位阴极还原铜离子使其形成铜纳米粒子CuNPs,制备了纳米复合材料γ-Fe2O3/PDA-GA/CuNPs修饰电极,该电极对过氧化氢有较强的电催化作用。本发明电极制备简单、方便,对过氧化氢的检测具有灵敏度高、线性范围大、稳定性和重复性好等优点。
搜索关键词: 一种 纳米 复合材料 fe sub pda ga cunps 修饰 电极 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
一种纳米复合材料γ‑Fe2O3/PDA‑GA/CuNPs修饰电极,其特征在于,由如下步骤制备:第一步,将γ‑Fe2O3/PDA‑GA修饰电极放置于含有Cu(NO3)2的pH值为3‑4.5的醋酸钠/醋酸缓冲液中浸泡后用水充分冲洗,并用N2吹干,得到γ‑Fe2O3/PDA‑GA‑Cu2+修饰电极;第二步,选用恒电位法对上述修饰电极进行还原,还原电位‑0.9V,还原时间30s,制得γ‑Fe2O3/PDA‑GA/CuNPs修饰电极。
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