[发明专利]用于锗硅填充材料的成形腔在审
| 申请号： | 201510176654.4 | 申请日： | 2015-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104867966A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 周海锋;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐洁晶 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于锗硅填充材料的成形腔，涉及半导体工艺与器件。更具体地，本发明的实施例提供一种半导体器件，该半导体器件包括修正的钻石形腔，该钻石形腔填充有硅和锗材料。还提供了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 材料 成形 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括硅材料；腔区域，位于所述衬底内，所述腔区域包括顶部部分和底部部分，所述顶部部分包括以相对于垂直方向呈大约54.74度角为特征的第一侧壁，所述底部部分包括基本上垂直的侧壁；以及填充材料，至少部分地位于所述腔区域内，所述填充材料包括硅和锗材料。
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