[发明专利]双层式负载腔室的独立回填及抽气结构有效
申请号: | 201510178153.X | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN104878364B | 公开(公告)日: | 2017-11-21 |
发明(设计)人: | 周仁;吴凤丽;姜崴;廉杰;方仕彩;郑佳彤;吕欣 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/56 | 分类号: | C23C14/56;C23C14/54;C23C16/52;C23C16/54;H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人: | 甄玉荃,霍光旭 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 双层式负载腔室的独立回填及抽气结构,该结构不仅能单独实现每一层腔体的单独或者并行回填与抽气操作,还可有效地缩短回填与抽气时间。其结构包括下层腔体,上层腔体,上、下层腔室,上、下层回填组件,上、下层抽气管路,上、下层抽气管道结构及上、下层回填管道结构等。所述下层腔体与上层腔体为独立结构,通过定位将两层腔体连接在一起成为双层式负载腔室。可实现上、下层单独回填,回填位置靠近传片口且位于基板支架下面,能够降低对晶圆上表面的污染,且抽气管路结构对称,上、下层单独抽气,适用于半导体薄膜沉积应用技术领域的双层机械手传片,提高产能。 | ||
搜索关键词: | 双层 负载 独立 回填 结构 | ||
【主权项】:
双层式负载腔室的独立回填及抽气结构,其特征在于:它包括下层腔体、上层腔体、上层腔室A、上层腔室B、下层腔室C、下层腔室D、上层回填组件、下层抽气管路、下层回填组件、上层抽气管路、上层抽气管道结构、上层回填管道结构、下层回填管路结构及下层抽气管路结构,上述下层腔体与上层腔体为独立结构,通过定位将两层腔体连接在一起成为双层式负载腔室:所述上层腔体上的抽气管道结构及回填管道结构左右对称,分别连通到上层腔室A、上层腔室B,上层腔室A、上层腔室B通过上层抽气管道结构和上层回填管道结构而连通;所述下层腔体上的抽气管道结构及回填管道结构左右对称,分别连通到下层腔室C、下层腔室D,下层腔室C、下层腔室D通过下层抽气管道结构和下层回填管道结构而连通;所述上层回填组件与上层回填管道结构连接;下层回填组件与下层回填管路结构连接;所述上层抽气管路与上层抽气管道结构连接,下层抽气管道结构与下层抽气管路结构连接,上、下层单独回填,回填位置靠近传片口且位于基板支架下面。
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