[发明专利]具有来自侧壁的特征的处理室有效
申请号: | 201510178955.0 | 申请日: | 2015-04-15 |
公开(公告)号: | CN105006443B | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 迪恩·J·拉森;杰森·奥古斯蒂诺;安德里亚斯·费舍尔;安德烈·W·迪斯派特;哈梅特·辛格 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人: | 樊英如,李献忠 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及具有来自侧壁的特征的处理室,具体提供了一种处理室,该处理室包括具有顶部和侧壁的室壳体。该处理室还具有密封件,该密封件用于将所述室壳体的侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部。衬底保持器联结到所述室壳体的侧壁。此外,该处理室具有晶片升降环,通过延伸穿过所述侧壁的侧臂支撑的晶片升降环具有至少三个支柱,每个支柱具有至少一个指状物,指状物的顶部限定第一晶片传运平面。下室具有至少一个最低晶片支撑件,至少一个最低晶片支撑件限定第二晶片传运平面,其中,第一晶片传运平面和第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程,传送臂被配置为从第一晶片传运平面和第二晶片传运平面传送晶片。 | ||
搜索关键词: | 具有 来自 侧壁 特征 处理 | ||
【主权项】:
一种处理室,其包括:具有顶部和侧壁的室壳体;密封件,其用于将所述室壳体的所述侧壁连接到位于所述处理室下方的下室的顶部;衬底保持器,其联结到所述室壳体的所述侧壁;由延伸穿过所述室壳体的所述侧壁的侧臂支撑的晶片升降环,其中,所述晶片升降环具有竖直竖立的至少三个支柱,每个支柱具有从所述支柱水平地延伸的至少一个指状物,并且其中所述晶片升降环在上部位置的所述指状物的顶部限定第一晶片传运平面;以及定位在所述处理室下方的下室,所述下室具有至少一个晶片支撑件,其中最低的所述至少一个晶片支撑件的顶部限定了第二晶片传运平面,其中,所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面之间的高度不大于传送臂的最大竖直行程,所述传送臂被配置为从所述第一晶片传运平面和所述第二晶片传运平面传送晶片。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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