[发明专利]类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构有效

专利信息
申请号: 201510179772.0 申请日: 2015-04-15
公开(公告)号: CN104818521A 公开(公告)日: 2015-08-05
发明(设计)人: 王强;花国然;李俊军;邓洁 申请(专利权)人: 南通大学
主分类号: C30B11/14 分类号: C30B11/14;C30B29/06
代理公司: 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 代理人: 蔡晶晶
地址: 226019 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构,包括互相拼接的籽晶块,相邻籽晶块之间的拼接面为与坩埚底部呈α夹角的平面,α取值范围为30-60度,并且拼接面一侧的籽晶块开设有一个长条形的槽,拼接面另一侧的籽晶块具有适合于插入该槽的一个长条形的凸块,相邻籽晶块拼接后,凸块插入槽内且拼接面之间的间隙小于0.5mm。本发明在籽晶块拼接面设置互相配合的凸块与槽形成榫卯结构,提高籽晶拼接面的贴合度,在加热过程中,边缘处的籽晶受热膨胀,榫卯结构更加紧密,缝隙变得更小,相邻籽晶块贴合得更紧密,防止籽晶块边缘翘起引起的缝隙变大,从而最大程度的减少晶体位错缺陷,提高了单晶面积比例。
搜索关键词: 单晶硅 铸锭 籽晶 拼接 结构
【主权项】:
 类单晶硅铸锭用籽晶拼接结构,包括互相拼接的籽晶块,其特征在于:相邻籽晶块之间的拼接面为与坩埚底部呈α夹角的平面,α取值范围为30‑60度,并且拼接面一侧的籽晶块开设有一个长条形的槽,拼接面另一侧的籽晶块具有适合于插入该槽的一个长条形的凸块,相邻籽晶块拼接后,所述凸块插入槽内且拼接面之间的间隙小于0.5mm。
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