[发明专利]掩膜板的制备方法和掩膜板有效
申请号: | 201510184143.7 | 申请日: | 2015-04-17 |
公开(公告)号: | CN104865791B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 张小磊;藤野诚治;王小虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/50 | 分类号: | G03F1/50;H01L51/00;H01L51/52;G03F1/24;G03F1/42 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 祝亚男 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜板的制备方法和掩膜板,属于液晶技术领域。方法包括:制备第一复合膜层,所述第一复合膜层包括第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层;按照产品上的待曝光区域,对第一复合膜层中的第一保护层、粘贴层和遮挡层进行切割,得到第二复合膜层;揭除所述第二复合膜层中的第一保护层以及所述待曝光区域对应的粘贴层和遮挡层,得到第三复合膜层;将所述第三复合膜层贴附在透明基板上,去除所述第二保护层。本发明大大简化掩膜板制作的繁琐程度,减少制作耗时。 | ||
搜索关键词: | 掩膜板 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:制备第一复合膜层,所述第一复合膜层包括依次层叠设置的第一保护层、粘贴层、遮挡层和第二保护层;确定用于确定发光器件区域以及产品上的待曝光区域的切割线,基于所述切割线,对第一复合膜层中的第一保护层、粘贴层和遮挡层进行切割,得到第二复合膜层,所述切割的进刀深度为所述第一保护层、所述粘贴层和所述遮挡层的总厚度,所述待曝光区域为矩形;去除所述第二复合膜层中的第一保护层以及所述待曝光区域对应的粘贴层和遮挡层,得到第三复合膜层;将所述第三复合膜层贴附在透明基板上,去除所述第二保护层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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