[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510185778.9 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105321990B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 片仓英明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘灿强;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供在确保器件耐压的同时能够谋求小型化的半导体装置。半导体装置具备：第一导电型的沟道形成区(2)；配置在沟道形成区的上部的一部分的第二导电型的第一主电极区(10 | ||
| 搜索关键词： | 导电型 漂移区 沟道形成区 主电极区 载流子 半导体装置 配置 主电极 截断 耗尽层 浓度比 耐压 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具备：/n第一导电型的沟道形成区；/n形成在所述沟道形成区上的场绝缘膜和栅绝缘膜；/n多个栅电极，隔着所述栅绝缘膜在所述沟道形成区上沿第一方向延伸，并沿与所述第一方向垂直的第二方向周期性地配置；/n第一栅布线，在所述场绝缘膜上沿所述第二方向延伸，并将所述多个栅电极的一端侧相互连结；/n第二导电型的漂移区，包含被所述沟道形成区的上部的所述多个栅电极中的一对栅电极所夹住的区域，且设置在所述一对栅电极的下方；/n一对第二导电型的第一主电极区，以与所述漂移区分开而与所述一对栅电极部分地重叠的方式设置在所述沟道形成区的上部，且以在所述第二方向上夹住所述漂移区方式配置；/n第二导电型的第二主电极区，设置在所述漂移区的表面，杂质浓度比所述漂移区高；/n第二导电型的第一截断区，在所述漂移区的内部与所述第二主电极区分开地设置在所述第一栅布线之下，杂质浓度比所述漂移区高。/n
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