[发明专利]电压监控电路、电压施加电路有效

专利信息
申请号: 201510187416.3 申请日: 2015-04-17
公开(公告)号: CN104779942B 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 胡剑;杨光军 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明的电压监控电路、电压施加电压,包括控制电路和监测电路:控制电路的输出端连接第一控制信号和第二控制信号,用于控制监测电路的开关;监测电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管:第一NMOS晶体管的漏极连接第一节点,源极连接第二NMOS晶体管的漏极,栅极连接第一控制信号;第二NMOS晶体管的源极连接第一PMOS晶体管的源极,栅极连接第一控制信号;第一PMOS晶体管的漏极连接第二节点,栅极连接第二控制信号;其中,将要监控的电压连至第二节点,根据第一节点输出电压监控第二节点的电压,或第一节点将要施加的电压输出到第二节点。本发明中,控制电路控制监测电路导通,监测电路根据第一节点的电压实现对第二节点的电压进行监控或施加。
搜索关键词: 电压 监控 电路 施加
【主权项】:
1.一种电压监控电路,其特征在于,包括控制电路和监测电路:所述控制电路的输出端连接第一控制信号和第二控制信号,用于控制监测电路的开关;所述监测电路包括第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管和第一PMOS晶体管:所述第一NMOS晶体管的漏极连接第一节点,源极连接所述第二NMOS晶体管的漏极,栅极连接所述第一控制信号;所述第二NMOS晶体管的源极连接所述第一PMOS晶体管的源极,栅极连接所述第一控制信号;所述第一PMOS晶体管的漏极连接第二节点,栅极连接所述第二控制信号;其中,将需要监控的电压连接至所述第二节点,根据所述第一节点输出的电压信号监控所述第二节点的电压;所述控制电路包括依次相连的或非电路、第一反相电路以及电压转换电路,所述或非电路的输入端连接第一输入信号和第二输入信号。
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