[发明专利]半导体芯片的试验装置、试验方法及试验电路有效
| 申请号： | 201510187825.3 | 申请日： | 2015-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN105277864B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 池口良 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够抑制试验电极的损伤的半导体芯片的试验装置、试验方法及试验电路。通过设置迂回电路(G)，使回流电流(IF4)转流到迂回电路(G)上，通过减小流过试验电极(13)的电流能够防止试验电极(13)的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 试验装置 试验 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的试验装置，其特征在于，是对被试验用二极管芯片的反向恢复特性进行试验的芯片的试验装置，具备：电源；第一开关元件，第一开关元件的高电位端子连接到所述电源的正极；负载，一端通过第一布线与所述第一开关元件的低电位端子连接，并且含有电感；试验电极，与所述负载的一端连接并用于以与所述被试验用二极管芯片的阴极接触的方式搭载所述被试验用二极管芯片的阴极；第二布线，经由第二开关元件连接所述负载的另一端和所述电源的负极；接触探针，用于接触所述被试验用二极管芯片的阳极；支持部件，具备支持所述接触探针的第一支持部和支持用于使所述接触探针的另一端与所述第二布线接触的接触件的第二支持部；电路用二极管，电路用二极管的阴极连接到所述负载的一端；第三开关元件，第三开关元件的低电位端子与所述电路用二极管的阳极连接，第三开关元件的高电位端子连接到所述负载的另一端，其中，所述第二开关元件的高电位侧端子连接到所述负载，所述第二开关元件的低电位端子连接到所述第二布线。
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