[发明专利]一种半导体器件表面厚度均一化方法

摘要

本发明揭示了一种半导体器件表面厚度均一化方法，在半导体衬底上形成金属线路层之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，然后研磨掉金属线路上方的二氧化硅层。本发明通过在金属线路层完成之后，依次沉积氮化硅层与二氧化硅层，二氧化硅层的厚度比现有技术中需要沉积的二氧化硅厚度减少4～5μm，沉积完成后，采用化学机械研磨二氧化硅层，直至金属线路上的氮化硅层暴露，继续研磨，当二氧化硅完全被研磨去除后，氮化硅层仍能够完全覆盖金属线路，且经研磨后氮化硅表面与其它部分厚度较为一致。因此本发明降低了二氧化硅的研磨量，且通过继续研磨半导体器件表面，利用氮化硅的耐研磨性，控制半导体器件表面各处厚度的均一性。

主权项

一种半导体器件表面厚度均一化方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：提供一半导体衬底；步骤二：在所述半导体衬底沉积绝缘层，然后将绝缘层图案化，暴露出功能焊垫；步骤三：在步骤二形成的半导体器件上依次沉积金属层和光刻胶层，并将所述光刻胶层图案化，暴露出部分金属层；步骤四：刻蚀步骤三所暴露出的金属层，将光刻胶层去除，形成金属线路层；步骤五：将步骤四形成的半导体器件上依次沉积氮化硅层与二氧化硅层；步骤六：采用化学机械研磨的方式研磨所述二氧化硅层直至所述金属线路上的氮化硅完全暴露，并研磨部分氮化硅层。