[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
申请号: | 201510197982.2 | 申请日: | 2015-04-23 |
公开(公告)号: | CN104795407A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 崔承镇 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域,可解决退火处理时金属表面易氧化的问题,提高产品良率。该制备方法包括在衬底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖第一导电图案的上表面的绝缘图案;第一导电图案、第二导电图案采用一次构图工艺形成;第一导电图案包括:第一非晶态透明导电图形、第一金属图形;第二导电图案包括第二非晶态透明导电图形;进行退火处理,使第一非晶态透明导电图形、第二非晶态透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、第二晶态透明导电图形。用于阵列基板及包括该阵列基板的显示面板的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:在衬底基板上形成第一导电图案、第二导电图案以及至少覆盖所述第一导电图案的上表面的绝缘图案;其中,所述第一导电图案、第二导电图案采用一次构图工艺形成;所述第一导电图案包括:依次远离所述衬底基板的第一非晶态透明导电图形、第一金属图形;所述第二导电图案包括第二非晶态透明导电图形;对形成有所述第一导电图案、所述第二导电图案以及所述绝缘图案的所述衬底基板进行退火处理,使所述第一非晶态透明导电图形、所述第二非晶态透明导电图形分别转化为第一晶态透明导电图形、第二晶态透明导电图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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