[发明专利]用于芯片嵌入的晶片基后道工序工艺在审
| 申请号： | 201510202154.3 | 申请日： | 2015-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104966733A | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | P·加尼策尔;M·雅各布;A·策希曼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/45 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于芯片嵌入的晶片基后道工序工艺。在各实施例中提供了一种半导体器件，包括包含漂移区和邻近于该漂移区布置的栅极电极的半导体本体；以及在半导体本体的漂移区之上提供且具有第一金属层、在该第一金属层之上的粘附层和在该粘附层之上的第二金属层的接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片 嵌入 晶片 基后道 工序 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，包括漂移区和邻近于该漂移区布置的栅极电极；以及接触结构，在半导体本体的漂移区之上提供且具有第一金属层、在该第一金属层之上的粘附层和在该粘附层之上的第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510202154.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种太阳能电池组件镀锡铜带生产线
- 下一篇：一种OLED显示面板及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
