[发明专利]光学传感器有效
申请号: | 201510202657.0 | 申请日: | 2015-04-24 |
公开(公告)号: | CN105006478B | 公开(公告)日: | 2018-01-30 |
发明(设计)人: | 游腾健 | 申请(专利权)人: | PGI股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李昕巍,赵根喜 |
地址: | 开曼群岛大开曼*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了光学传感器,该光学传感器包含半导体块,包含前侧与背侧。导波区位于半导体块的背侧上方,包含核心层,导波区用以引导入射光。光感测区域位于半导体块中,包含多接合光二极管。光感测区域用以感测来自导光区的发射光。本发明通过在生物样品与互连之间放置光二极管,从影像传感器的电子元件分离光学元件。金属互连将来自样品的光开通,因而降低光的损失,并且可达到高量子效率。随着光感测区域越接近样品,光感测区域暴露至更高强度的待测光。 | ||
搜索关键词: | 光学 传感器 | ||
【主权项】:
一种光学传感器(100),包括:导波区(200),其包括核心层(27),该核心层用于引导入射光(8);光感测区域(55),该光感测区域用于感测发射光(81‑83)并且将所感测到的发射光转换成数据信息;和互连区(73);其特征在于,所述光感测区域(55)位于半导体块(511)中处于前侧(S1)与背侧(S2)之间,并且所述光感测区域包括多接合光二极管,其中所述互连区(73)电耦合所述多接合光二极管,用于进一步处理和/或输出所述数据信息,并且所述互连区在所述半导体块(511)的前侧(S1)下方,并且所述导波区(200)在所述半导体块的背侧(S2)上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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