[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201510203148.X | 申请日： | 2015-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104779301B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 姜文博;谢世义;包智颖 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/02;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，用以减小薄膜晶体管的尺寸。所述薄膜晶体管包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其中，有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层，所述源极/漏极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述漏极/源极与所述第二掺杂非晶硅层接触，所述源极和所述漏极位于不同的水平面上，且所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括位于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、源极、漏极和有源层，其特征在于，所述有源层包括非掺杂非晶硅层、第一掺杂非晶硅层和第二掺杂非晶硅层；所述源极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述漏极与所述第二掺杂非晶硅层接触；或，所述漏极与所述第一掺杂非晶硅层接触，所述源极与所述第二掺杂非晶硅层接触；所述源极和所述漏极位于不同的水平面上，且所述源极与所述漏极之间通过所述非掺杂非晶硅层隔开。
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