[发明专利]高性能的鳍式场效应晶体管有效
| 申请号： | 201510204265.8 | 申请日： | 2015-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN104934478B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 程宁;P·J·麦克尔赫尼 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及高性能的鳍式场效应晶体管。公开了一种FinFET，其具有第一多个鳍、第二多个鳍和第三多个鳍，其中栅极结构以及源极区和漏极区形成在这些鳍上，使得PMOS晶体管形成在第一多个鳍上，NMOS晶体管形成在第二多个鳍上，并且PMOS晶体管形成在第三多个鳍上。在一个实施例中，该第一多个鳍和第二多个鳍由应变硅制成；并且该第三多个鳍由具有比应变硅更高的空穴迁移率的材料例如锗或硅锗制成。在第二实施例中，该第一多个鳍由硅制成，该第二多个鳍由应变硅、锗或III‑V族化合物制成；并且该第三多个鳍由锗或硅锗制成。 | ||
| 搜索关键词： | 性能 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：至少第一鳍，具有相对的第一主面和第二主面，并且由应变硅制成；至少第一PMOS晶体管，形成在所述第一鳍的所述第一主面和所述第二主面上；至少第二鳍，具有相对的第三主面和第四主面，并且由所述应变硅制成；至少第一NMOS晶体管，形成在所述第二鳍的所述第三主面和所述第四主面上；至少第三鳍，具有相对的第五主面和第六主面，并且完全由具有比应变硅的空穴迁移率更大的空穴迁移率的第二半导体材料制成；以及至少第二PMOS晶体管，形成在所述第三鳍的所述第五主面和所述第六主面上。
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