[发明专利]三维集成电路中缺陷硅通孔的容错电路有效
| 申请号： | 201510204655.5 | 申请日： | 2015-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN104900644B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 裴颂伟;张静东;金予 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司11280 | 代理人： | 王勇,李科 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种三维集成电路中缺陷硅通孔的容错电路，所述三维集成电路包括m个信号线、n个硅通孔以及表示所述n个硅通孔的缺陷情况的n个测试线，其中n＞m，且n和m为正整数，其中所述容错电路包括m个行容错控制器，第x个行容错控制器将第x个信号线与至少n‑m+1个所述硅通孔连接，第x个行容错控制器用于将第x个信号线与所述至少n‑m+1个所述硅通孔中未与其他信号线导通、且沿行信号传输方向上的第一个非缺陷硅通孔导通，其中x为1～m的正整数，行信号传输方向为行容错控制器中的信号传输方向。本发明的容错电路能够自动容忍三维集成电路在出厂测试和使用过程中产生的缺陷硅通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 三维集成电路 缺陷 硅通孔 容错 电路 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路中缺陷硅通孔的容错电路，所述三维集成电路包括m个信号线、n个硅通孔以及表示所述n个硅通孔的缺陷情况的n个测试线，其中n＞m，且n和m为正整数，其中所述三维集成电路中缺陷硅通孔的容错电路包括m个行容错控制器，第x个行容错控制器将第x个信号线与至少n‑m+1个所述硅通孔连接，第x个行容错控制器用于将第x个信号线与所述至少n‑m+1个所述硅通孔中未与其他信号线导通、且沿行信号传输方向上的第一个非缺陷硅通孔导通，其中x为1～m的正整数，行信号传输方向为行容错控制器中的信号传输方向。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
