[发明专利]用于处理基板的系统和方法

摘要

提供一种用于处理基板的系统和方法。所述基板处理系统可包括处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室；等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室中的处理气体产生等离子体；以及加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，加热单元可包括加热器和设置在所述介质窗的一个表面上的导热层。

主权项

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：处理腔室，所述处理腔室包括具有开放顶部的壳体和从外部密闭地密封所述壳体的顶部的介质窗；内衬，所述内衬设置在壳体内表面并且可以替换；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理腔室中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元将处理气体供应到所述处理腔室中；等离子体源，所述等离子体源设置在所述处理腔室外部，以由供应到所述处理腔室的所述处理气体产生等离子体；以及加热单元，所述加热单元加热所述介质窗，其中所述加热单元包括：邻近所述介质窗的边缘区域设置的加热器；设置在所述介质窗的一个表面上的导热层，所述导热层允许提供给所述介质窗边缘区域的热能被传递到所述介质窗的中央区域；以及设置在所述导热层的顶表面上的绝缘层，所述绝缘层防止流经所述导热层的热量向远离所述介质窗的方向排出，其中，所述导热层由热导率高于所述介质窗的材料形成，且所述绝缘层由热导率低于所述导热层的材料形成。