[发明专利]钼铝钼金属膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510224572.2 | 申请日： | 2015-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN104818466A | 公开（公告）日： | 2015-08-05 |
| 发明（设计）人： | 池京容;郑建万;任伏军;石国强;王余刚 | 申请（专利权）人： | 深圳南玻伟光导电膜有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼铝钼金属膜的制备方法，包括如下步骤：对基底进行预处理；在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，反应气体为氮气；以及在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。相对于传统的钼铝钼金属膜的制备方法，这种钼铝钼金属膜的制备方法通过氮化钼层取代钼层降低了金属性，从而降低了整体的消光系数、减少反射光能，调节进入氮化钼层的吸收光能和透射光能，使铝层的反射光和氮化钼层的反射光在基底表面形成干涉相消从而降低反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 钼铝钼 金属膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钼铝钼金属膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底并对所述基底进行预处理；在通入工作气体和反应气体的条件下，在磁控反应溅射镀膜腔室内利用磁控反应溅射在预处理过的所述基底上沉积氮化钼层，其中，所述磁控反应溅射的靶材为钼靶，所述工作气体为惰性气体，所述反应气体为氮气；以及在真空度为0.1Pa～10Pa的条件下，在磁控溅射镀膜腔室内利用磁控溅射在所述氮化钼层上依次沉积铝层和钼层，形成依次层叠的氮化钼层、铝层和钼层。
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