[发明专利]一种ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510225980.X | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104952967A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 潘新花;王伟豪;戴文;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器自下而上依次有低阻Si层、SiO2绝缘层、ZTO沟道层、纳米Al颗粒层和Al电极。其制备方法如下：先采用燃烧法制备ZTO前驱体，然后将前驱体溶液旋涂在Si/SiO2的SiO2面上，旋涂数次并退火，再用热蒸发在ZTO表面蒸镀上一层纳米Al颗粒，最后镀上Al电极完成紫外探测器的制作。相比于传统的紫外探测器，此方法制备的紫外探测器暗电流低、响应灵敏度极高，且结构简单、制备成本低，在军事、民用以及一些特殊领域有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜晶体管 紫外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
ZnO基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于，该探测器自下而上依次有低阻Si层（1）、SiO2绝缘层（2）、ZTO沟道层（3）、纳米Al颗粒层（4）和Al电极（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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