[发明专利]一种三维集成电路器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510226919.7 | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104952795A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 郭昌松 | 申请（专利权）人： | 深圳市海泰康微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 陈健 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于集成电路制备领域，提供了一种三维集成电路的制备方法，包括：A，提供底层；B，在底层形成一非晶形半导体层，并进行金属诱导侧面晶体化处理，并据此制作第一电子电路元件层；C，在第i电子电路元件层上形成一钝化氧化层，在钝化氧化层上制作第i+1电子电路元件层；其中，i为自然数且初始值为1；D，将第i+1电子电路元件层中的每一电子电路元件电连接至之前形成的所有电子电路元件层的相应电子电路元件；E，以i的步长为1的方式重复执行B至D，直至制作出目标层数的集成电路。本发明能够简单灵活的在任何已经存在的结构上制作电子电路元器件，还可以制造无数层电路元器件的3D结构，还可以解决多晶硅薄膜晶体管较差性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维集成电路 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维集成电路器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A，提供底层；步骤B，在所述底层形成一非晶形半导体层，对所述非晶形半导体层进行金属诱导侧面晶体化处理，并据此制作第一电子电路元件层；步骤C，在第i电子电路元件层上形成一钝化氧化层，在所述钝化氧化层上制作第i+1电子电路元件层；其中，i为自然数且初始值为1；步骤D，将所述第i+1电子电路元件层中的每一电子电路元件电连接至所述之前形成的所有电子电路元件层的相应电子电路元件；步骤E，以i的步长为1的方式重复执行步骤B至步骤D，直至制作出目标层数的集成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
