[发明专利]TFT基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该TFT基板的制作方法采用设置于半导体层且经过N型重掺杂的连接半导体(42)连接第一半导体(41)与第二半导体(43)，从而将第一TFT与第二TFT串联起来，该经过N型重掺杂的连接半导体(42)代替了现有技术中设置于第二金属层上的连接电极，避免了将连接电极与数据线、供电压线等讯号线共同设置于第二金属层所导致的连接电极与第二金属层的设计规则变小的问题，有利于提高显示面板的开口率、及分辨率。本发明还提供一种TFT基板结构，其结构简单，具有高开口率及高分辨率。

主权项

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并通过一道光刻制程图案化该第一金属层，形成间隔设置的第一栅极(21)、及第二栅极(23)；步骤2、在所述第一栅极(21)、第二栅极(23)、及基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上沉积一半导体层，并通过一道光刻制程对该半导体层进行图案化，形成依次排列且相互连接的第一半导体(41)、连接半导体(42)、及第二半导体(43)；所述第一半导体(41)对应位于所述第一栅极(21)的上方，所述第二半导体(43)对应位于所述第二栅极(23)的上方、所述连接半导体(42)位于所述第一半导体(41)与第二半导体(43)之间；步骤4、在所述半导体层上沉积一刻蚀阻挡层(5)，并通过一道光刻制程在该刻蚀阻挡层(5)上形成间隔设置的第一通孔(51)、第二通孔(52)、及第三通孔(53)；所述第一通孔(51)、第二通孔(52)、及第三通孔(53)分别暴露出第一半导体(41)相对远离连接半导体(42)的一端、连接半导体(42)、及第二半导体(43)相对远离连接半导体(42)的一端；步骤5、以所述刻蚀阻挡层(5)为遮挡层，分别经由所述第一通孔(51)、第二通孔(52)、及第三通孔(53)对所述第一半导体(41)相对远离连接半导体(42)的一端、连接半导体(42)、及第二半导体(43)相对远离连接半导体(42)的一端进行N型重掺杂，从而在所述第一半导体(41)上形成第一源极接触区(412)与第一沟道区(414)，在所述第二半导体(43)上形成第二沟道区(432)与第二漏极接触区(434)，所述连接半导体(42)的两端分别连接第一沟道区(414)与第二沟道区(432)；其中，所述第一源极接触区(412)、连接半导体(42)、及第二漏极接触区(434)均为N型重掺杂区域；步骤6、在所述刻蚀阻挡层(5)上沉积第二金属层，并通过一道光刻制程图案化该第二金属层，形成间隔设置的第一源极(61)、及第二漏极(62)；所述第一源极(61)通过第一通孔(51)与第一源极接触区(412)相接触；所述第二漏极(62)通过第三通孔(53)与第二漏极接触区(434)相接触；所述第一栅极(21)、第一半导体(41)、第一源极(61)、及经过N型重掺杂的连接半导体(42)构成第一TFT；所述第二栅极(23)、第二半导体(43)、经过N型重掺杂的连接半导体(42)、及第二漏极(62)构成第二TFT；所述第一TFT与第二TFT由经过N型重掺杂的连接半导体(42)串联起来；所述第一TFT与第二TFT设于数据线和供电压线之间用于构成像素补偿电路。