[发明专利]蚀刻方法在审
| 申请号： | 201510232383.X | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097497A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 渡边光 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明不降低生产量地有选择地蚀刻由氧化硅构成的区域。本发明提供一种在等离子体处理装置的处理容器内从具有由氧化硅构成的氧化区域的被处理体有选择地蚀刻该氧化区域的方法。该方法包括：(a)在处理容器内，生成含有氢、氮和氟的气体的等离子体，使上述氧化区域变质而形成变质区域的步骤；和(b)在形成变质区域的步骤之后，通过在处理容器内对被处理体照射二次电子而除去变质区域的步骤，在该步骤中，通过在处理容器内生成具有阳离子的等离子体且对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压，由此使阳离子与该上部电极碰撞，使得从该上部电极放出二次电子。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子体处理装置的处理容器内，从具有由氧化硅构成的氧化区域的被处理体有选择地蚀刻该氧化区域的蚀刻方法，其特征在于，包括：在所述处理容器内，生成含有氢、氮和氟的气体的等离子体，使所述氧化区域变质而形成变质区域的步骤；和在所述形成变质区域的步骤之后，通过在所述处理容器内对所述被处理体照射二次电子而除去所述变质区域的步骤，在该步骤中，在所述处理容器内生成包括阳离子的等离子体且对所述等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压，由此使所述阳离子与该上部电极碰撞，使得从该上部电极放出所述二次电子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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