[发明专利]利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构有效
| 申请号： | 201510232485.1 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097736B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 余振华;陈明发;蔡文景 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/065;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种封装件，其包括设置在第一半导体衬底的第一侧上的第一重分布层(RDL)和设置在第二半导体衬底上的第二RDL，其中，第一RDL接合至第二RDL。第一导电元件设置在第一RDL和第二RDL中。第一通孔从一个或多个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底至与第一侧相对的第一半导体衬底的第二侧。第一间隔件插入在第一半导体衬底和第一通孔之间并且每个第一间隔件从相应的一个第一导电元件延伸穿过第一半导体衬底。本发明涉及利用后通孔工艺的3D衬底上晶圆上芯片结构。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 后通孔 工艺 衬底 上晶圆上 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1.一种封装件，包括：第一重分布层，设置在第一半导体衬底的第一侧上；第二重分布层，设置在第二半导体衬底上，其中，所述第一重分布层接合至所述第二重分布层；第一导电元件，设置在所述第一重分布层和所述第二重分布层中；第一通孔，从一个或多个所述第一导电元件延伸穿过所述第一半导体衬底至与所述第一侧相对的所述第一半导体衬底的第二侧，所述第一通孔的至少第一个与设置在所述第一重分布层中的一个所述第一导电元件接触，并且其中，所述第一通孔的至少第二个与设置在所述第二重分布层中的一个所述第一导电元件的接触；以及第一间隔件，插入在所述第一半导体衬底和所述第一通孔之间，并且每个所述第一间隔件从相应的一个所述第一导电元件延伸穿过所述第一半导体衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510232485.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
