[发明专利]用于半导体结构的体极接点布局有效
| 申请号： | 201510236507.1 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105097892B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 迪夫·阿洛克·吉尔德哈尔;杰佛瑞·麦可·约翰斯顿 | 申请（专利权）人： | 英特希尔美国公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于半导体结构的体极接点布局，在至少一范例实施例中，一种半导体结构包括：多个栅极，其被设置在半导体层上，每个栅极是在坐标空间中平行于y轴进行延伸；源极区域，其被设置在所述多个栅极中的两个之间；多个体极接点，其被设置在每个源极区域中；并且其中每个源极区域的相邻所述栅极的部分具有平行于所述y轴而延伸的宽度，其比在x轴上与所述栅极相距一段距离处的所述源极区域平行于所述y轴的宽度还大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 结构 接点 布局 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其包括：多个栅极，其被设置在半导体层上，每个栅极在坐标空间中平行于y轴进行延伸；源极区域，其被设置在所述多个栅极中的两个栅极之间；多个体极接点，其被设置在每个源极区域中；以及其中每个源极区域的相邻所述栅极的部分具有平行于所述y轴而延伸的宽度，其比在x轴上与所述栅极相距一段距离处的所述源极区域平行于所述y轴的宽度还大。
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